Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://hdl.handle.net/10995/35611
Название: Радиационные дефекты в сульфиде цинка
Авторы: Давыдов, Д. Н.
Оконечников, А. П.
Дата публикации: 2015
Издатель: Уральский федеральный университет
Библиографическое описание: Давыдов Д. Н. Радиационные дефекты в сульфиде цинка / Д. Н. Давыдов, А. П. Оконечников // Физика. Технологии. Инновации : сборник научных трудов. — Екатеринбург : [УрФУ], 2015. — Вып. 1. — С. 54-58.
Аннотация: Сульфид цинка имеет значительный потенциал как перспективный материал силовой оптики, но наличие дефектов и примесей оказывает значительное влияние на свойства реальных образцов. Использование ионизирующих излучений для контролируемого создания дефектов позволяет изучать природу дефектов и их влияние на свойства материалов. Рассматриваются проблемы исследования их влияния и трудности его однозначной интерпретации. Поднимается вопрос влияния примесей и дефектов в облучаемых образцах на образование радиационных дефектов. Важным выводом является то, что при облучении электронами предварительно деформированные образцы демонстрируют более высокую радиационную стойкость при малых флюенсах до 1017 см−2, при больших флюенсах более радиационно-стойкими оказывались исходные образцы с меньшей исходной плотностью дефектов.
Zinc sulfide shows the great potential as the perspective material in the power quantum optic, but the problem is the influence of defects and admixtures on the different properties of the materials. The usage of ionizing radiation for the controlled creation of defects allows us to study the nature of the defects and their influence on the properties of materials. The problems are of the study of their impact and the difficulties of their correct interpretation. The actual question is the issue of the effect of impurities and defects in irradiated samples on the formation of radiation-induced defects. An important conclusion is that under electron irradiation pre-deformed samples show a higher radiation resistance at low fluences up to 1017 cm−2, as at high fluences more radiationresistant proved initial samples with lower initial density of defects.
Ключевые слова: СУЛЬФИД ЦИНКА
ДЕФЕКТ
ПРИМЕСЬ
ДИСЛОКАЦИЯ
СПЕКТР
ZINC SULFIDE
DEFECT
ADMIXTURE
DISLOCATION
SPECTRUM
URI: http://hdl.handle.net/10995/35611
Идентификатор РИНЦ: http://elibrary.ru/item.asp?id=25647284
ISBN: 978-5-905227-08-0
Источники: Физика. Технологии. Инновации. Вып. 1. — Екатеринбург, 2015.
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2015_10.pdf694,77 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.