Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://hdl.handle.net/10995/27133
Название: Generation of powerful microwave voltage oscillations in a diffused silicon diode
Авторы: Lyubutin, S. K.
Rukin, S. N.
Slovikovsky, B. G.
Tsyranov, S. N.
Дата публикации: 2013
Библиографическое описание: Generation of powerful microwave voltage oscillations in a diffused silicon diode / S. K. Lyubutin, S. N. Rukin, B. G. Slovikovsky [et al.] // Semiconductors. — 2013. — Vol. 47. — № 5. — P. 670-678.
Аннотация: The mechanism of the generation of powerful microwave voltage oscillations in a diffused silicon diode is studied. A reverse current 2 kA in amplitude is passed through a 0.5-cm2 diode with a structure thickness of 320 μm, a p-n junction depth of 220 μm. At an average diode voltage of ∼300 V and a microwave pulse duration of ∼200 ns, the maximum voltage swing reaches 480 V. The oscillation frequency lies in the range 5 to 7 GHz; the power of the microwave pulse component is ∼300 kW. A theoretical consideration shows that voltage oscillations are caused by periodically repeating processes of breakdown and structure filling with plasma followed by its removal by the reverse current. The frequency and voltage swing are controlled by the current density and dopant-concentration gradient in the vicinity of the p-n junction. © 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
URI: http://hdl.handle.net/10995/27133
DOI: 10.1134/S1063782613050151
SCOPUS: http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84877328199&partnerID=40&md5=4364d70e54170583042e47ee61300089
Располагается в коллекциях:Научные публикации, проиндексированные в SCOPUS и WoS

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
scopus-2013-0306.pdf374,38 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.