Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/21447
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Маскаева, Л. Н. | ru |
dc.contributor.author | Федорова, Е. А. | ru |
dc.contributor.author | Маскаева, Л. Н. | ru |
dc.contributor.author | Марков, В. Ф. | ru |
dc.contributor.author | Мошников, В. А. | ru |
dc.contributor.author | Пермяков, Н. В. | ru |
dc.contributor.author | Fedorova, E. A. | en |
dc.contributor.author | Maskaeva, L. N. | en |
dc.contributor.author | Markov, V. P. | en |
dc.contributor.author | Moshnikov, V. A. | en |
dc.contributor.author | Permjakov, N. V. | en |
dc.date.accessioned | 2013-11-16T09:19:22Z | - |
dc.date.available | 2013-11-16T09:19:22Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Фрактальный анализ АСМ-изображений химически осажденных пленок Cu–Ga–Se : заключительный отчет о НИР / Урал. федер. ун-т им. первого Президента России Б. Н. Ельцина ; Руководитель Л. Н. Маскаева ; Исполнители Е. А. Федорова, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, В. А. Мошников, Н. В. Пермяков. – Екатеринбург, 2013. – 20 с. | ru |
dc.identifier.uri | http://elar.urfu.ru/handle/10995/21447 | - |
dc.description.abstract | С использованием атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности тонких пленок Cu–Ga–Se, полученных совместным гидрохимическим осаждением селенидов меди (I) Cu2Se и галлия Ga2Se3. С помощью фрактального анализа АСМ-изображений установлена зависимость между условиями осаждения тонких пленок Cu–Ga–Se и их фрактальной размерностью, рассчитанной методом подсчета кубов и методом триангуляции. Также предложен механизм формирования и роста пленок при гидрохимическом осаждении диселенида меди (I) и галлия. | ru |
dc.description.abstract | The surface morphology of Cu–Ga–Se thin films prepared by chemical bath deposition of copper (I) Cu2Se and gallium selenides Ga2Se3 was investigated by means of an atomic-force microscopy. The dependence between the conditions of the deposition of Cu–Ga–Se thin films and their fractal dimension, calculated by counting cubes and by triangulation, was defined by means of fractal analysis. A mechanism for the formation and growth of films at chemical bath deposition of copper (I) and gallium selenides was proposed well as. | en |
dc.description.sponsorship | Программа развития УрФУ на 2013 год (п.1.2.2.3) | ru |
dc.subject | ОТЧЕТ О НИР | ru |
dc.subject | ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ | ru |
dc.subject | СЕЛЕНИД МЕДИ (I) | ru |
dc.subject | СЕЛЕНИД ГАЛЛИЯ (III) | ru |
dc.subject | ТОНКИЕ ПЛЕНКИ | ru |
dc.subject | ФРАКТАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ | ru |
dc.subject | ФРАКТАЛЬНАЯ РАЗМЕРНОСТЬ | ru |
dc.subject | АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ | ru |
dc.subject | CHEMICAL BATH DEPOSITION | en |
dc.subject | SELENIDE (I) | en |
dc.subject | GALLIUM SELENIDE (III) | en |
dc.subject | THIN FILMS | en |
dc.subject | FRACTAL ANALYSIS | en |
dc.subject | FRACTAL DIMENSION | en |
dc.subject | ATOMIC-FORCE MICROSCOPY | en |
dc.title | Фрактальный анализ АСМ-изображений химически осажденных пленок Cu–Ga–Se | ru |
dc.title.alternative | Fractal analysis of the AFM-images of Cu–Ga–Se films, prepared by chemical bath deposition | en |
dc.type | Technical Report | en |
Располагается в коллекциях: | Гранты, проекты, отчеты |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
fedorova_1.2.2.3.pdf | 425,31 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.