Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://hdl.handle.net/10995/20909
Название: Получение тонкопленочных солнечных преобразователей на основе CuIn(S,Se)2 методом гидрохимического осаждения
Другие названия: The deposition of CuIn(S,Se)2 thin films for solar cells by means of chemical bath deposition
Авторы: Туленин, С. С.
Tulenin, S. S.
Научный руководитель: Марков, В. Ф.
Дата публикации: 2013
Библиографическое описание: Получение тонкопленочных солнечных преобразователей на основе CuIn(S,Se)2 методом гидрохимического осаждения : заключительный отчет о НИР / Урал. федер. ун-т им. первого Президента России Б. Н. Ельцина ; Руководитель В. Ф. Марков ; Исполнитель С. С. Туленин. – Екатеринбург, 2013. – 16 с.
Аннотация: Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системах “хлорид индия − хлорид меди − тиомочевина” и “хлорид индия − хлорид меди − тиомочевина – трилон Б” определены граничные условия образования Cu2S и In2S3 и их гидроксидов с учетом кристаллизационного фактора, а также потенциальная область образования твердых растворов замещения на их основе. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением пленок твердых растворов замещения InxCu1−xS2 различного состава. Обсуждены экспериментальные данные по распределению и атомарным соотношениям элементов в синтезированных образцах, полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Благодаря растровой электронной микроскопии выявлены изменения поверхностной микроструктуры пленок от температуры и состава реакционной смеси. Синтезированные тонкопленочные соединения обладают n-типом проводимости.
Calculation of ionic equilibrium with using of thermodynamic constants for systems “indium chloride − copper chloride − teourea” and “indium chloride − copper chloride − teourea – trilon B” defines boundary conditions of formation Cu2S and In2S3 and their hydroxides in to account the crystallization factor. It was experimentally shown that there is bath deposition of solid solution thin films InxCu1−xS2 with various compositions. The experimental date on the distribution and the atomic ration of elements in synthesized patterns obtained by the x-ray photoelectron spectroscopy were discussed. The change in the surface microstructure of thin films depending on the temperature and the composition of reaction bath were determined by means of scanning electron microscopy. The structure of obtained thin films has n-type of conductivity.
Ключевые слова: ОТЧЕТ О НИР
ИОННЫЕ РАВНОВЕСИЯ
ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ ОСАЖДЕНИЯ
СУЛЬФИД И СЕЛЕНИД МЕДИ(I)
СУЛЬФИД И СЕЛЕНИД ИНДИЯ
ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ ЗАМЕЩЕНИЯ
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ
СКАНИРУЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ
IONIC BALANCES
BOUNDARY CONDITIONS OF DEPOSITION
COPPER (I) SULFIDE AND SELENIDE
INDIUM SULFIDE AND SELENIDE
SOLID SOLUTIONS OF REPLACEMENT
THIN FILMS
X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY
SCANNING ELECTRON MICROSCOPY
URI: http://hdl.handle.net/10995/20909
Сведения о поддержке: Программа развития УрФУ на 2013 год (п.1.2.2.3)
Располагается в коллекциях:Гранты, проекты, отчеты

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
tulenin_1.2.2.3-66.pdf917,03 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.