Способ электролитического получения микроразмерных пленок кремния из расплавленных солей

Abstract

Изобретение относится к получению кремния в виде микроразмерных пленок, которые могут быть использованы в микроэлектронике, устройствах преобразования и накопления энергии. Проводят электролиз галогенидного расплава из смеси солей, содержащей, мас.%: 5-30 хлорида лития (LiCl), 5-20 хлорида калия (KCl), 45-90 хлорида цезия (CsCl), 1-5 гексафторсиликата калия (K₂SiF₆). Электролиз расплава ведут в инертной атмосфере при температуре от 400 до 550°C с периодическим реверсом тока с анодного на катодный. Величина импульса анодного тока составляет от 5 до 45 мА/см² при длительности от 1 до 30 с, а величина импульса катодного тока составляет от 3 до 30 мА/см² при длительности от 60 до 3600 с. Способ позволяет получить сплошные микроразмерные пленки кремния при снижении температуры электроосаждения, повысить чистоту кремния и увеличить срок эксплуатации конструкционных материалов реактора для осуществления способа. 3 ил.

FIELD: production of silicon. SUBSTANCE: invention is related to production of silicon in form of microsized films that can be used in microelectronics, energy conversion and storage devices. Electrolysis of the halide melt from a mixture of salts containing, wt.%: 5-30 lithium chloride (LiCl), 5-20 potassium chloride (KCl), 45-90 caesium chloride (CsCl), 1-5 potassium hexafluorosilicate (K₂SiF₆) is carried out. The electrolysis of the melt is carried out in an inert atmosphere at a temperature of 400 to 550°C with periodic current reversal from anode to cathode. The magnitude of the anode current pulse is from 5 to 45 mA/cm² with a duration of 1 to 30 s, and the magnitude of the cathode current pulse is from 3 to 30 mA/cm² with a duration of 60 to 3600 s. EFFECT: method makes it possible to obtain continuous microsized silicon films with a decrease in the electrodeposition temperature, to increase the purity of silicon and to increase the service life of the structural materials of the reactor for implementation of the method. 1 cl, 3 dwg.