Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125156
Название: Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электронные свойства кристаллов In2Se3
Другие названия: Influence of Irradiation Semiconductors of In2Se3 И Cu2SnS3 BY 10 MeV Electrons on Electronic Structure and Optical Properties
Авторы: Lobanov, A. D.
Sulimov, M. A.
Sarychev, M. N.
Korkh, Yu. V.
Ivanov, V. Yu.
Kuznetsova, T. V.
Bondar, I. V.
Лобанов, A. Д.
Сулимов, М. А.
Сарычев, М. Н.
Корх, Ю. В.
Иванов, В. Ю.
Кузнецова, Т. В.
Бондарь, И. В.
Дата публикации: 2022
Издатель: УрФУ
Библиографическое описание: Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электронные свойства кристаллов In2Se3 / A. Д. Лобанов, М. А. Сулимов, М. Н. Сарычев, Ю. В. Корх, В. Ю. Иванов, Т. В. Кузнецова, И. В. Бондарь. — Текст: электронный // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2022 : тезисы докладов IX Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина, Екатеринбург, 16-20 мая 2022 г. — Екатеринбург: УрФУ, 2022. — С. 753-754. — URL: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125156.
Аннотация: Single crystals In2Se3 и Cu2SnS3 were studied by photoluminescence spectroscopy, Kelvin’s probe, current spectroscopy before and after irradiation with 10 MeV electrons with fluences 1013-1017 см-2.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/125156
Конференция/семинар: IX Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина
ФТИ-2022
Дата конференции/семинара: 16.05.2022-20.05.2022
Источники: Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2022). — Екатеринбург, 2022
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2022_9_345.pdf185,46 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.