ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/106645| Название: | ЭФФЕКТ ВЛИЯНИЯ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК Cu2ZnSnSe4 НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, СОЗДАННЫХ НА ИХ ОСНОВЕ |
| Другие названия: | EFFECT OF CHEMICAL TREATMENT OF THIN FILMS Cu2ZnSnSe4 ON PHOTOLUMINESCENCE OF SOLAR CELLS CREATED ON THEIR BASIS |
| Авторы: | Mogilnikov, I. A. Sulimov, M. A. Forbes, I. Zhivulko, V. D. Borodavchenko, O. M. Wise, A. V. Yakushev, M. V. Могильников, И. А. Сулимов, М. А. Форбс, И. Живулько, В. Д. Бородавченко, О. М. Мудрый, А. В. Якушев, М. В. |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | УрФУ |
| Библиографическое описание: | ЭФФЕКТ ВЛИЯНИЯ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК Cu2ZnSnSe4 НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, СОЗДАННЫХ НА ИХ ОСНОВЕ / И. А. Могильников, М. А. Сулимов, И. Форбс и др. // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VII Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета (Екатеринбург, 18–22 мая 2020 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2020. — C. 258-259. |
| Аннотация: | The effect of etching regimes of thin films of Cu2ZnSnSe4 (prior to the deposition of CdS) on the bandgap (Eg) and photoluminescence (PL) spectra were studied by examining solar cells with the structure ZnO/CdS/Cu2ZnSnSe4/Mo/glass using PL and PL-excitation tech-niques. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/106645 |
| Конференция/семинар: | VII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященная 100-летию Уральского федерального университета |
| Дата конференции/семинара: | 18.05.2020-22.05.2020 |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2020) |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| fti_2020_124.pdf | 201,11 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.