Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/104148
Название: Inter-Layer Coupling Induced Bandgap Reduction in Ultrathin MoS2
Авторы: Putilov, A. V.
Trainer, D. J.
Giorgio, C. Di.
Saari, T.
Wang, B.
Wolak, M.
Chandrasena, R. U.
Lane, C.
Chang, T.-R.
Jeng, H.-T.
Lin, H.
Kronast, F.
Gray, A. X.
Xi, X. X.
Nieminen, J.
Bansil, A.
Iavarone, A.
Дата публикации: 2017
Издатель: Ural Federal University
Библиографическое описание: Inter-Layer Coupling Induced Bandgap Reduction in Ultrathin MoS2 / A. V. Putilov, D. J. Trainer, C. Di. Giorgio et al. // Scanning Probe Microscopy. Abstract Book of International Conference (Ekaterinburg, August 27-30, 2017). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2017. — 71 p.
Аннотация: We report on a study of highly crystalline islands of MoS2 grown on HOPG substrate. Using STM/STS we find that the valence band edge shifts as a function of the layer number. Numerical calculations reveal the mechanism underlying the bandgap reduction and the role of the interfacial Sulfur atoms is clarified.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/104148
Конференция/семинар: International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Youth Conference "Application of Scanning Probe Microscopy in Scientific Research"
Дата конференции/семинара: 27.08.2017-30.08.2017
ISBN: 978-5-9500624-0-7
Источники: International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Youth Conference "Application of Scanning Probe Microscopy in Scientific Research". — Ekaterinburg, 2017
Располагается в коллекциях:Scanning Probe Microscopy

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-9500624-0-7_2017_043.pdf265,99 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.