Просмотр коллекции по группе - По тематике RESISTIVE SWITCHING
Отображение результатов 1 до 4 из 4
Дата публикации | Название | Авторы |
2018 | Oxide layer thickness effects on the resistance switching characteristics of Ti/TiO2-NT/Au structure | Dorosheva, I. B.; Vokhmintsev, A. S.; Kamalov, R. V.; Gryaznov, A. O.; Weinstein, I. A. |
2018 | Unidirectional synapse-like behavior of Zr/ZrO2-NT/Au layered structure | Vokhmintsev, A. S.; Kamalov, R. V.; Kozhevina, A. V.; Petrenyov, I. A.; Martemyanov, N. A.; Weinstein, I. A. |
2016 | Мемристивный эффект в сэндвич-структуре металл/полупроводник/металл на основе анодированного диоксида титана : магистерская диссертация | Дорошева, И. Б.; Dorosheva, I. B. |
2021 | Механизмы резистивного переключения мемристоров на основе нанотубулярных массивов анодного диоксида циркония : магистерская диссертация | Петренев, И. А.; Petrenyov, I. A. |