Просмотр коллекции по группе - По автору Фомина, Л. В.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
или введите несколько первых букв:  
Отображение результатов 1 до 5 из 5
Дата публикацииНазваниеАвторы
2015Physicochemical conditions for the stability of manganese-doped nanolayers of gallium arsenide and its isoelectronic analoguesTerenteva, Yu. V.; Fomina, L. V.; Beznosyuk, S. А.; Терентьева, Ю. В.; Фомина, Л. В.; Безносюк, С. А.
2015Physicochemical conditions of GaAs/GaAsxNy/GaN nanochips stabilityKomarovskih, N. V.; Fomina, L. V.; Beznosyuk, S .А.; Комаровских, Н. В.; Фомина, Л. В.; Безносюк, С. А.
2016Образовательные стандарты высшей школы: проблемы организационно-методического сопровожденияТомилин, О. Б.; Фомина, Л. В.; Томилин, О. О.; Tomilin, O. B.; Fomina, L. V.; Tomilin, O. O.
2016Практики организационно-методического сопровождения образовательных стандартовТомилин, О. Б.; Фомина, Л. В.; Томилин, О. О.; Tomilin, O. B.; Fomina, L. V.; Tomilin, O. O.
2013Физико-химические условия устойчивости нанослоев арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов, легированных марганцемTerenteva, Yu. V.; Fomina, L. V.; Beznosyuk, S. А.; Терентьева, Ю. В.; Фомина, Л. В.; Безносюк, С. А.